RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3961
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link