RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3357
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link