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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
19.9
写入速度,GB/s
8.9
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3357
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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