RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3357
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link