RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
56
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
56
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2455
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link