RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
17.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
56
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2455
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link