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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
17.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
56
读取速度,GB/s
17.6
20.1
写入速度,GB/s
12.0
10.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2455
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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