RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
83
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
83
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link