RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
83
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
83
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link