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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
83
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
83
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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