RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3847
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link