RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3649
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link