RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3649
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link