RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3649
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link