RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
68
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2440
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link