RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link