RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
52
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
52
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2472
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link