RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2330
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link