RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link