RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
45
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
45
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
6.9
Скорость записи, Гб/сек
13.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
1499
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link