RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
4095
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link