RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
4095
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link