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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
40
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
18.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
4095
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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