RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
97
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
97
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1335
1270
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link