RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
76
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
13
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
76
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
1513
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link