RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3649
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link