RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3534
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link