RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2319
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link