RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2742
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link