RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3772
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link