RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
50
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2238
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link