RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
64
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2205
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link