RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
9.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1767
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link