takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14

Среднее значение в тестах

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 50

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.4 1,457.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,757.3 14.0
Скорость записи, Гб/сек

1,457.4 8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

557 2163

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

модули RAM

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM