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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3172
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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