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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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988
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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