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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
8.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1677
988
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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