RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
8.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1677
988
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link