RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
94
Rund um -203% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3360
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link