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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
94
Intorno -203% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
31
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3360
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
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