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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
84
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
2.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
2.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
84
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2.3
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.4
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
469
1720
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Frequency (Mhz) *
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