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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
84
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
2.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
2.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
84
28
Velocidad de lectura, GB/s
2.3
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
2.4
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
469
1720
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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