RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3238
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link