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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
66
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2616
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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