RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2616
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link