RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2771
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Informar de un error
×
Bug description
Source link