RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
68
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2007
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link