A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

66 68

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 16.9

Среднее значение в тестах

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.9 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 68
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 16.9
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 2007

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

модули RAM