RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
66
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2227
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link