A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Unterschiede

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 46
    Rund um -48% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,937.3 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    759 left arrow 3318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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