RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2664
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link